经产品证明的二进制掩模
您的解决方案应用领域
我们的制造工厂遍布全球，为还原性分划板（主要是2X至5X）、Ultratech 1X分划板和标准1X光掩模——以及一系列的掩模尺寸从4英寸到14英寸的集成电路制造提供本地解决方案。我们还提供1X母版和副本，配以可选的防粘涂层。在保证质量的前提下，装备系统以周期快、成本低为目标实现优化。
扩展您的传统工具
我们成熟的二进制掩模解决方案以深厚的传统技术为基础，目前已实现批量生产，以支持各种应用的晶圆印刷需求。这将便于拓展对现有光刻系统的使用，进而最大程度地提高ROI。
先进二进制OPC掩模
推动技术节点发展
借助极低k1处理器和高掩模误差增强因子（MEEF）光刻的影响，半导体行业持续推动着光刻技术的发展。在此过程中，Photronics始终与前沿光刻技术保持同步。
我们先进的二进制分划板能够轻松支持从14nm到28nm的生产节点，随着包括极紫外光刻技术（EUV）在内的7nm及更微型技术的发展和创新，我们的目标越来越清晰。
主要考虑因素
- 电子束光刻工具和化学放大型抗蚀剂（CAR）解决了掩模上非常微型的主要功能和OPC功能。
- 当极限分辨率不再重要时，先进的激光光刻工具提供了一个低成本的解决方案。
- 干蚀刻通过将抗蚀剂图形转移到铬吸收层，从而将CD损耗降至最低，确保了图形的逼真度。
通用规格
| Binary Photomasks | ||||
|---|---|---|---|---|
| Standard binary photomasks are typically used for 1X, 2X 2.5X, 4X and 5X applications | ||||
| Mask sizes range from 4"x4" to 9"x9" | ||||
| Common Specifications for Binary masks, of course we will work with our customers if tighter requirements are needed | ||||
| CD Size | CD Tolerance | CD Uniformity | Registration | Defect Size |
| 1.0-2.0μ | ±1.5μ | .15μ | ±.15μ | .50μ |
| >2.0μ | ±.20μ | .20μ | ±.15μ | 1.0μ |
| Advanced Binary Photomasks | ||||
|---|---|---|---|---|
| Advanced Binary photomasks are typically used for 1X, 4X and 5X applications | ||||
| Mask size is typically 6"x6" | ||||
| Common Specifications for Advanced Binary masks, of course we will work with our customers if tighter requirements are needed | ||||
| CD Size | CD Tolerance | CD Uniformity | Registration | Defect Size |
| .50μ-1.0μ | ±.035μ | .035μ | ±.03μ | .20μ |
| >1.0μ | ±.05μ | .05μ | ±.05μ | .03μ |
| Large Area Photomasks | ||||
|---|---|---|---|---|
| Mask size raging from 9"x9" up to 24"x30" | ||||
| Common Specifications for LAM, of course we will work with our customers if tighter requirements are needed | ||||
| CD Size | CD Tolerance | CD Uniformity | Registration | Defect Size |
| >2.0μ | ±.50μ | .50μ | ±1.0μ | 1.0μ |
专业相移掩模
更高的分辨率和自由度
在波长为248nm和193nm的情况下，我们的嵌入式衰减相移掩模（EAPSM）依赖波长调谐，传输率为6%的MoSiON吸收器产生180度相移。这使得光刻工具的分辨率和对焦深度得以改善。
EUV掩模
经过多年的等待，极紫外技术EUV终于投入生产。借助该技术，技术节点将被提高到5nm甚至更小。我们的研发团队在下一代光刻技术开发中发挥了重要作用，包括与IBM Research达成的一项联合研发协议，开发制造级EUV掩模工艺，用于7nm和5nm等节点的前沿逻辑应用。因此，当EUV光掩模技术成为主流时，我们的技术组合已经准备好迎接迅猛而至的升级时刻。
主要考虑因素
- 使用前沿的电子束或激光制模工具限定顶部镀铬层。
- 使用电感耦合等离子体（ICP）干蚀刻工艺，为顶部镀铬层下方的MoSiON创建新模式。
- 采用抗蚀剂重新涂饰掩模并使用激光制模工具进行第二级曝光，进而定义有源相移模式区域。掩模基准点、条形码和标题均刻在高对比度铬上。
- 使用精密束或原子力微探针修复致命缺陷（CDs）。
- 使用航拍图像计量（AIMS）验证致命缺陷。
- 借助专有清洁和护理技术，将依赖曝光的模糊缺陷风险降到最低。
致力于环保事业
在Photronics，我们致力于保护环境。为此，我们携手客户及供应商，共同创建了石英基片回收项目。应客户允许，我们回收基片并将其用于非重要领域。通过该项目，我们成功地减少了废弃物，同时保护了客户的知识产权。
除基片再利用项目外，我们还设立压块重新使用项目。